Силовые полупроводниковые приборы в последние десятилетия стали применяться
практически повсеместно. По сути это было непрерывное и стремительное развитие
технологии силовых полупроводниковых приборов, что привело к появлению очень
мощных, эффективных и простых в применении устройств. 

Непрекращающаяся оптимизация полупроводников на основе кремния подвела характеристики этих приборов очень близко к их физическим и технологическим границам.
В результате, если не будет достигнут реальный прорыв, возможности для дальнейшего совершенствования полупроводниковых приборов за счёт совершенствования толь-
ко конструкции кристалла резко сократятся. Напротив, у корпусов полупроводниковых
приборов такие возможности (причём значительные) имеются. 

Современные обладают низкой теплоемкостью, поэтому их перегрузочная способность невысокая. Это объясняется тем, что вследствие высокой стоимости кремния имеется тенденция к интенсивному использованию p - n - переходов путем повышения плотности тока при усиленном теплоотводе.

Рынок силовых полупроводниковых приборов
Рост рынка силовых полупроводниковых компонентов стимулируют такие факторы, как удорожание энергии наряду с ростом энергозатрат, а также увеличение быстродействия электронных систем, более широкое применение мобильных устройств, в которых необходимо контролировать мощность батарей питания. В эксплуатацию вводится все больше оборудования, для которого необходимы силовые приборы (все больше развивающихся стран осваивают цифровую технику и, соответственно, отгрузки источников питания быстро растут).
В результате, несмотря на тенденцию к интеграции все больше транзисторных функций в микросхемы, применение дискретных полупроводниковых приборов в разнообразном электронном оборудовании непрерывно растет.